核外电子

核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d。

64x64 回复 1F 沈阳师范大学-韩依桐 今天 核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d。

核外电子是围绕原子核高速运动的带负电粒子，其排布遵循能量最低原理，决定了元素的化学性质。

核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d。

核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d。

填充序 电子按能级由低到高的填充顺序（遵循“n+0.7l”规则） 1s²2s²2p⁶3s²3p⁶4s²3d⁶ 失电子序 原子失去电子时，优先失去能级较高的电子（外层电子先失，如4s能级高于3d） Fe失电子时先失4s电子，再失3d电子书写序 按主量子数n由小到大、同一n下l由小到大的 顺序书写（化学中规范的电子排布式写法） 1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶4s²

核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d。

填充序：电子按能量高低填入轨道的顺序（能量最低原理），核心是「先填低能层/轨道」，如1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d。 • 失电子序：原子失去电子时的顺序（优先失高能级电子），核心是「后填先失」，如第四周期过渡元素先失4s电子，再失3d电子。 • 书写序：按电子层（n）递增顺序书写电子排布式，核心是「按层归类」，如3d轨道写在4s前（如Fe：[Ar]3d⁶4s²）。

7①.填充顺序根据鲍林的轨通填充顺序图进行排序 还可以根据练充完(n+0.7l)规则1按能置以低到高排列1s2s2P3s3p4s3d4P.....也就是ns(n-2)F(n-1）dnP 失电子顺序,按徐光宪(n➕0.4l)规则(n+0.4L)值大的电子先失去7P7s6d6p5Fb6 5d5p4F5s401 4p 4s3d3p3s2p2s16 书写顺序.按主量寸数n从小到大书写

填充序：电子按能量高低填入轨道的顺序（能量最低原理），核心是「先填低能层/轨道」，如1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d。 • 失电子序：原子失去电子时的顺序（优先失高能级电子），核心是「后填先失」，如第四周期过渡元素先失4s电子，再失3d电子。 • 书写序：按电子层（n）递增顺序书写电子排布式，核心是「按层归类」，如3d轨道写在4s前（如Fe：[Ar]3d⁶4s²）。

这三个概念的核心区别在于适用场景和电子的运动逻辑，具体如下： 1. 核外电子填充序 • 定义：电子按能量由低到高的顺序填充轨道的顺序，遵循“构造原理”（如1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d…）。 • 逻辑：能量越低的轨道越先被填充，目的是使原子处于能量最低的稳定状态。 2. 失电子序 • 定义：原子失去电子形成离子时，电子脱离轨道的顺序，遵循“外层电子先失”的规则（如第四周期过渡金属先失4s电子，再失3d电子）。 • 逻辑：失去电子的难易程度由电子所处轨道的能量（失电子时，外层轨道能量更高）决定，与填充序不完全一致。 3. 电子排布书写序 • 定义：按电子层（n）由小到大、同一电子层内按亚层（s/p/d/f）的顺序书写的排布式（如Fe的电子排布式为[Ar]3d⁶4s²，而非[Ar]4s²3d⁶）。 • 逻辑：为了统一书写规范，便于清晰呈现电子在各电子层的分布，与填充序、失电子序的顺序均不同。 类型 核心逻辑 示例（以Fe为例） 填充序 能量由低到高填充 1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d 失电子序 外层电子先失 先失4s电子，再失3d电子 书写序 按电子层由小到大排列 [Ar]3d⁶4s²

核外电子是围绕原子核高速运动的带负电粒子，其排布遵循能量最低原理，决定了元素的化学性质

- 填充序：按能量高低填（先低后高，如1s→2s→4s→3d） - 失电子序：先失外层/高能电子（如先失4s再失3d） - 书写序：按电子层n从小到大写（如3d在前、4s在后）

核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。

核外电子 64x64 沈阳师范大学-韩依桐 2025-11-19 13:14:34 核外电子填充序、失电子序、书写序有什么区别？ 操作点赞(14) 全部回复共14条 64x64 回复 1F 沈阳师范大学-韩依桐 今天 核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d。 64x64 回复 2F 沈阳师范大学-史云龙 今天 64x64 回复 1F 沈阳师范大学-韩依桐 今天 核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d。 64x64 回复 3F 沈阳师范大学-沈梓涵 今天 核外电子是围绕原子核高速运动的带负电粒子，其排布遵循能量最低原理，决定了元素的化学性质。 64x64 回复 4F 沈阳师范大学-陈佰奕 今天 核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d。

核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d。

核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d。

核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d。

三者核心区别在于适用场景和遵循规则不同，精准对应电子的“填充→失去→书写”三个不同环节： 1. 核外电子填充序（能级交错） • 核心规则：遵循 n+0.7l 规则（n为主量子数，l为角量子数），电子优先填充能量低的能级。 • 典型顺序：1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d→4p→5s→4d…（如K原子：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶4s¹，而非先填3d）。 • 用途：判断基态原子/离子的电子排布逻辑（电子“怎么来”）。 2. 核外电子失电子序 • 核心规则：遵循 n+0.4l 规则，优先失去能量高的电子，与填充序相反（先填的4s电子比后填的3d电子更易失去）。 • 典型顺序：最外层电子→次外层电子（如Fe原子失电子：先失4s²，再失3d⁶中的电子，Fe²⁺为[Ar]3d⁶，而非[Ar]4s²3d⁴）。 • 用途：判断金属原子形成阳离子时的电子失去顺序（电子“怎么丢”）。 3. 核外电子书写序 • 核心规则：按 主量子数n递增 排序，同一n的能级写在一起（忽略填充时的能级交错）。 • 典型顺序：1s→2s→2p→3s→3p→3d→4s→4p…（如Fe原子书写为[Ar]3d⁶4s²，而非[Ar]4s²3d⁶）。 • 用途：规范电子排布式的书写格式（电子“怎么写”），便于统一表达和查阅。

填充序 电子按能级由低到高的填充顺序（遵循“n+0.7l”规则） 1s²2s²2p⁶3s²3p⁶4s²3d⁶ 失电子序 原子失去电子时，优先失去能级较高的电子（外层电子先失，如4s能级高于3d） Fe失电子时先失4s电子，再失3d电子书写序 按主量子数n由小到大、同一n下l由小到大的 顺序书写（化学中规范的电子排布式写法） 1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶4s²

核外电子填充顺序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d 4p 5s 4d 5p 6s 4f 5d 6p 7s 5f 6d 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 失电子顺序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。书写说序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。

• 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d。

• 核外电子填充序：是电子按照能量由低到高的顺序填入轨道的顺序，遵循能级交错（比如先填4s，再填3d），顺序为1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d→4p… • 失电子序：原子失去电子时，优先失去能量较高的外层电子，和填充序相反（比如过渡金属先失4s电子，再失3d电子）。 • 书写序：电子排布式的书写要按照电子层从低到高、同一电子层内轨道类型从s到f的顺序（比如Fe的电子排布式写为[Ar]3d⁶4s²，而不是[Ar]4s²3d⁶）。

核外电子填充序：遵循构造原理，即电子按照能量由低到高的顺序填充轨道，顺序为1s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p、5s、4d、5p、6s、4f、5d、6p……等，目的是使原子的能量最低。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子是按照与填充顺序相反的顺序失去的，即先失去最外层（能量较高）的电子，再失去内层（能量较低）的电子。例如，对于电子排布为[Ar]3d^{10}4s^{1}的铜原子，失去电子时先失去4s电子，再失去3d电子。 • 书写序：按照电子层从内到外的顺序书写，即把同一电子层的轨道写在一起，顺序为1s、2s、2p、3s、3p、3d、4s、4p、4d、4f……等，这样书写更符合电子层的结构逻辑，方便表示原子的电子排布。

天 64x64 回复 1F 沈阳师范大学-韩依桐 今天 核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时

填充序：电子按能量高低填入轨道的顺序（能量最低原理），核心是「先填低能层/轨道」，如1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d。 • 失电子序：原子失去电子时的顺序（优先失高能级电子），核心是「后填先失」，如第四周期过渡元素先失4s电子，再失3d电子。 • 书写序：按电子层（n）递增顺序书写电子排布式，核心是「按层归类」，如3d轨道写在4s前（如Fe：[Ar]3d⁶4s²）。

核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，填充时是先填4s再填3d。

核外电子是围绕原子核高速运动的带负电粒子，其排布遵循能量最低原理，决定了元素的化学性质。

天 核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3d

核外电子填充序：遵循能量最低原理，电子按照轨道能量从低到高的顺序填充，顺序为1s \to 2s \to 2p \to 3s \to 3p \to 4s \to 3d \to 4p \to 5s \to 4d \to 5p \to 6s \to 4f \to 5d \to 6p \to 7s \to 5f \to 6d \to 7p等。例如，填充电子时，先填4s轨道，再填3d轨道。 • 失电子序：当原子失去电子时，电子先从能量较高的轨道失去。由于n s轨道的能量在失去电子时高于(n - 1)d轨道（可简单理解为失去电子时，外层n s电子更易失去），所以失电子顺序为n s轨道上的电子先失去，然后再失去(n - 1)d等轨道上的电子。比如，\ce{Fe}的电子排布式为[\ce{Ar}]3d^64s^2，失去电子时，先失去4s轨道的2个电子，形成\ce{Fe^{2+}}，再失去3d轨道的1个电子形成\ce{Fe^{3+}}。 • 书写序：按照电子层从内到外（主量子数n从小到大）的顺序书写，即先写n小的轨道，再写n大的轨道。例如，\ce{Cu}的电子排布式书写为[\ce{Ar}]3d^{10}4s^1，是按照3d（n = 3）在前，4s（n = 4）在后的顺序书写，尽管填充时是先填4s再填3